Foshan Digital Printing Glass Custom ization, was ist die Magnetron-Sputter methode für den Digital druck?

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Das Magnetron-Sputtering-Verfahren ist eine Beschichtung stech no logie, die ein Magnetfeld verwendet, um die Elektronen bewegung zu steuern und das Sputtern des Ziels zu beschleunigen. Im Folgenden finden Sie eine detaillierte Erklärung zur Magnetron-Sputter methode:

1. Definition und Prinzip

Definition: Die Magnetron-Sputter methode besteht darin, Argon durch Anlegen einer Spannung in einer Hochvakuum umgebung zu ionieren und mithilfe eines Magnetfelds die Bewegung von Elektronen zu steuern, so dass sich die Elektronen in der Nähe der Ziel oberfläche spiralförmig bewegen können, wodurch die Wahrscheinlichkeit erhöht wird, dass Elektronen auf Argon treffen, um Ionen zu erzeugen. Diese Ionen beschleunigen das Bombardieren der Oberfläche des Zielmaterials unter Einwirkung eines elektrischen Feldes, wodurch die Ziel atome oder-moleküle heraus gespritzt und auf dem Substrat abgelagert werden, um einen Film zu bilden.

Prinzip: In der Hochvakuum beschichtung kammer wird eine Spannung zwischen der Kathode (Target) und der Anode (beschichtete Kammer wand) angelegt, um eine magnetische abnormale Glimment ladung zu erzeugen. Das Elektron kollidiert während des Fluges mit dem Argon atom und ionisiert es, um positive Ar-Ionen und neue Elektronen zu erzeugen.

Ar-Ionen beschleunigen die Bombardier ung der Ziel oberfläche unter Einwirkung eines elektrischen Feldes und sputtern die Ziel atome oder-moleküle aus. Gleichzeitig erzeugen die erzeugten Sekundär elektronen unter Einwirkung elektrischer und magnetischer Felder eine E × B-Drift, die in der Plasma region nahe der Ziel oberfläche gebunden ist und weiterhin mehr Ar-Ionen ionisiert, um das Ziel zu bombardieren, wodurch eine hohe Abscheidung srate erreicht wird.

2. Typ

Das Magnetron-Sputter verfahren umfasst viele Arten, wie reaktives Magnetron-Sputtern, AC-Magnetron-Sputtern und unausgeglichenes Magnetron-Sputtern usw.:

Reaktives Magnetron-Sputtern: Während des Sputtern reagiert das Target mit dem Reaktions gas (wie Sauerstoff, Stickstoff usw.), um einen Verbindungs film zu bilden. Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung von hochreinen Verbindungs filmen und die Kontrolle der Zusammensetzung und Eigenschaften der Filme durch Einstellen der Reaktions parameter.

Wechselstrom-Magnetron-Sputtern: Wechselstrom versorgung wird anstelle von Gleichstrom versorgung verwendet, um das abnormale Entladung phänomen der Zielfläche zu beheben. Beim AC-Sputtern ist die Spannung des Target an die Vakuum kammer wand eine periodische Wechsels impuls spannung, wodurch die Stabilität und Gleichmäßigkeit des Sputtes verbessert wird.

Nicht ausgeglichenes Magnetron-Sputtern: Das Plasma der Kathoden zielfläche wird durch ein zusätzliches Magnetfeld in die Nähe des Substrats geführt, wodurch das Substrat in das Plasma eingetaucht wird. Dieses Verfahren erhöht nicht nur die Sputter rate, sondern auch die Qualität der Membran.

Drei Eigenschaften

Die Bindungs kraft der Beschichtung schicht und des Substrats ist stark: Da die durch das Sputtern von Atomen oder Molekülen eine hohe Energie haben und stark mit der Oberfläche des Substrats interagieren, hat der gebildete Film eine starke Bindungs kraft mit dem Substrat.

Die Beschichtung schicht ist dicht und gleichmäßig: Die mikroskop ische Oberfläche des Films, die durch das Magnetron-Sputter verfahren hergestellt wird, ist exquisit und dicht und sehr gleichmäßig.

Einfache Bedienung: Solange die Sputter bedingungen wie Arbeits druck und elektrische Leistung relativ stabil bleiben, kann eine relativ stabile Abscheidung srate erzielt werden.

Hohe Abscheidung srate: Besonders geeignet für die Abscheidung von Metallen und Oxid filmen mit hohem Schmelzpunkt.

Nieder temperatur des Substrats: Im Vergleich zu anderen Beschichtung verfahren erwärmt das Magnetron-Sputtern das Substrat weniger.

Prozess umwelt freundlich: keine Umwelt verschmutzung, hohe Produktions effizienz.

Vier, Anwendung

Das Magnetron-Sputter verfahren ist in vielen Bereichen weit verbreitet, z. B. bei der Abscheidung von Metalle lekt roden filmen und diele kt rischen Filmen im Bereich der Mikro elektronik, bei der Herstellung optischer Filme, bei der Herstellung von Oberflächen funktions filmen und Ultra duren in der modernen mechanischen Verarbeitung industrie.

Darüber hinaus spielt es eine wichtige Rolle bei der Erforschung supra leitender Hoch temperatur filme, ferro elektrischer Filme, magneto resistiver Riesen filme, Dünnschicht lumineszenz materialien, Solarzellen und Memory-Legierung filme.

Zusammenfassend ist das Magnetron-Sputter verfahren eine hoch effiziente, umwelt freundliche und einfach zu steuerende Dünnschicht abscheidung stech no logie, die in der modernen Industrie und in der wissenschaft lichen Forschung breite Anwendungs aussichten bietet.

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